大日本印刷（＝DNP、北島義俊社長）は、20ナノメートル以下の次世代半導体用フォトマスクやナノインプリント用テンプレートの製造に適応した、世界最高レベルの解像力と感度を有するフォトレジストを開発した。 今回開発したフォトレジストは、電子線を照射した部分が硬化するネガ型で、電子線の照射量が少なくても効率よく硬化反応が進む、高感度のフォトレジストである「化学増幅型レジスト」としては、世界最高レベルである15ナノメートルの線幅のパターン形成に成功した。
（※）フォトレジスト 薄膜にして光・紫外線・電子線などを照射すると、当たった部分だけが構造変化し、耐薬品性の硬膜をつくったり、薬品に溶けやすくなったりする材料。IC回路・LSI回路・プリント配線などの作製に用いられる。
【製品の概要】 従来の化学増幅型レジストの主要成分として用いられてきた高分子は、分子サイズが5ナノから10ナノと大きく、また大きさにバラツキがあることから、20ナノメートル以下の超微細パターンの形成が困難だった。今回、分子サイズが小さく、均一な低分子の化合物に置き換えることにより、今までのフォトレジストと比較して感度は約100倍、解像力は世界最高レベルを実現している。 これにより20ナノメートル以降の次世代フォトマスクやナノインプリントなどの分野において、高い生産性を保ちながら、超微細パターン形成が可能となる。 【今後の展開】 DNPは、2010年度中に自社製品のフォトマスクやナノインプリント用テンプレートなどで、今回開発したフォトレジストの実用化を目指している。また同研究内容は、今年2月22日よりアメリカのサンノゼで開催されるSPIE Advanced Lithography 2009で発表する予定。
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